{首页主词},&

從1985到2024，而今真正自主可控國產光刻機再度出發，這一“刻”我們等了39年！

　　日前，北京衛視報道了小米公司成功流片國內首款采用3nm工藝的手機系統級芯片的消息。

　　這一消息固然可喜，但還談不上令人振奮。根據現有的信息，與包括麒麟在內的其他“國產”芯片一樣，小米的這款3nm芯片仍然是購買ARM架構授權進行修改，而與龍芯的自主指令集完全不是一回事；此外，小米的此次3nm流片很有可能找的是臺灣的臺積電。

　　兩點結合起來看，小米的3nm芯片離“自主可控”仍然有相當的距離。與華為相比，小米唯一的“優勢”只是暫時沒有受到美國制裁，因此可以買到ARM的V9、甚至是最新的V10架構，而麒麟還只能在V8基礎上修改；同樣因為暫時沒有受到制裁，小米暫時還可以使用美國把控的供應鏈流片。

　　其實，只要中國人想干，自主指令集和生態這些“軟設施”都是可以重新構建的，只是需要一段“痛苦期”來磨合；真正難以一步跨越的，還是芯片的硬件制造，尤其是光刻機。

　　今年9月，中國在DUV光刻機領域實現了重要的技術突破的消息引發國人振奮。

　　根據公開披露的參數，工信部公布的國產氟化氬光刻機（DUV），波長為193nm，其分辨率可以達到65nm或以下，套刻精度8nm。

　　“中國首臺（套）重大技術裝備”的含義是指國內實現重大技術突破、擁有知識產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。

　　需要說明的是，套刻精度跟制程節點水平是兩個概念，套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對準精度，并不是指能夠制造的芯片的工藝制程節點。對照ASML的系列光刻機參數，這款國產DUV光刻機仍未能完全勝任28nm的工藝制程，更達不到8nm、7nm的程度。ASML 2006年推出的干式DUV光刻機XT：1450的分辨率就已經達到了57nm，套刻精度為7nm，相當于“晚了18年”。

　　這一次看似有限的“突破”，仍有具有重要的“節點意義”——28nm以上制程的成熟芯片有望實現全流程國產化了。

　　這個突破，是美國的制裁措施倒逼的結果，正應了毛主席的那句“封鎖吧，封鎖十年八年，中國的一切問題都解決了。”

　　“晚18年”并不可怕，只要正確的路線能夠占據主導，國產光刻機趕超國外最先進的技術水平指日可待。

　　歷史已經雄辯地證明：美國從原子彈到氫彈用了7年多，而新中國在毛澤東時代的引領下只用了兩年多；導彈和原子彈結合即戰略核導彈的試射成功，美國用了11年，新中國僅用了1年多的時間！這是社會主義公有制下群眾和專家無私大協作的結果，是社會主義制度優越性的充分體現。

　　就在國產DUV光刻機重大突破的消息傳出之后，中國科學院原院長白春禮院士的一段訪談視頻又在網絡上熱傳：

　　白春禮院士的這段訪談大約是去年這個時候的，毛澤東時代集成電路事業取得的輝煌成就早已被歷史掩埋，公眾人物公開把它講出來，是少有的。

　　在毛主席的高度重視和關懷下，新中國很早就開始了電子工業的布局。

　　1953年1月，由華羅庚在中國科學院數學所建立了中國第一個計算機研究組；1953年，電信工業局終于成為第二機械工業部十局，所屬的738、718、774等一批北京酒仙橋地區的電子工廠，都參加了電子計算機的生產，新中國的計算機事業自此起步。

　　1956年7月5日，科學規劃委員會正式印出“四項緊急措施”文本。“緊急措施”包括計算機、半導體、無線電電子學和自動化，這四個領域都是我國當時發展還是很薄弱，但極具戰略價值的科技門類。

　　1957年1月1日，中國科學院等三家單位簽訂了“合作發展中國計算技術協議書”。三方議定，用超常規辦法集結人才，建立發展計算技術研究基地。組織原則是“先集中，后分散”，先抽調專家集結到科學院計算所，制造一臺快速通用電子計算機，然后專家返回原單位建立研究機構，發展計算機。

　　1957年中國向蘇方提交的“中蘇科學院合作項目表”，第一項就是計算技術，“計算技術科學研究與工業基礎的建立”成為蘇聯幫助中國進行的重大科研項目。

　　1958年，根據蘇聯設計圖紙做修改的103計算機研制成功，并生產了36臺；1959年，以蘇聯還在研制中的БЭСМ-II計算機為模板，成功研制104計算機。

　　103計算機和104計算機的誕生，使中國計算機完成了從無到有的跨越。因為是仿制蘇聯的先進計算機，在技術起點上比較高——103計算機和104計算機在技術水平上僅次于美蘇。

　　1959年，中蘇關系迅速惡化，赫魯曉夫撤走了全部在華蘇聯專家，中國已經得不到蘇聯技術支援。在美蘇的技術封鎖下，中國只能走自主設計、自主生產的發展路線。

　　1960年，中國自行設計的107計算機研制成功。

　　1965年，中國自主研制的第一塊集成電路在上海誕生，只比美國晚了5年進入集成電路時代。1972年，自主研制的大規模集成電路在四川永川半導體研究所誕生，實現了從中小集成電路發展到大規模集成電路的跨越。

　　美國從中小規模集成電路發展到中大規模集成電路用了8年時間（1960-1968），而我們在美蘇封鎖的情況下只用了7年，僅僅比美國晚了4年！

　　集成電路制造最關鍵的設備就是光刻機。光刻機又名掩模對準曝光機，其制造和維護需要高度的光學和電子工業基礎，這離不開毛澤東時代建立的完整的科研-工業體系的支持。

　　毛澤東時代，中國的光刻工藝研究起步雖然比美國晚5年，但比韓國、臺灣早10年。1975年，就在臺灣剛剛向美國購買3英寸晶圓廠時，中國大陸已經完成了DRAM核心技術的研發工作。

　　光刻技術從最開始的是接觸式光刻，發展到后來并一直沿用至今的是投影式光刻。美國在20世紀50年代已經有了接觸式光刻機，因為掩膜和光刻膠多次碰到一起太容易污染了，接觸式機臺后來被接近式機臺所淘汰；1973年，Perkin Elmer公司推出了投影式光刻系統；1978年，GCA推出真正現代意義的自動化步進式光刻機。

　　而中國利用光刻技術制造集成電路的時間是1965年，那一年中國科學院研制出65型接觸式光刻機。1970年代，中國科學院開始研制計算機輔助光刻掩模工藝。1981年，中科院的半自動接近式光刻機研制成功。