日前，北京衛(wèi)視報(bào)道了小米公司成功流片國內(nèi)首款采用3nm工藝的手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片的消息。
這一消息固然可喜，但還談不上令人振奮。根據(jù)現(xiàn)有的信息，與包括麒麟在內(nèi)的其他“國產(chǎn)”芯片一樣，小米的這款3nm芯片仍然是購買ARM架構(gòu)授權(quán)進(jìn)行修改，而與龍芯的自主指令集完全不是一回事；此外，小米的此次3nm流片很有可能找的是臺(tái)灣的臺(tái)積電。
兩點(diǎn)結(jié)合起來看，小米的3nm芯片離“自主可控”仍然有相當(dāng)?shù)木嚯x。與華為相比，小米唯一的“優(yōu)勢(shì)”只是暫時(shí)沒有受到美國制裁，因此可以買到ARM的V9、甚至是最新的V10架構(gòu)，而麒麟還只能在V8基礎(chǔ)上修改；同樣因?yàn)闀簳r(shí)沒有受到制裁，小米暫時(shí)還可以使用美國把控的供應(yīng)鏈流片。
其實(shí)，只要中國人想干，自主指令集和生態(tài)這些“軟設(shè)施”都是可以重新構(gòu)建的，只是需要一段“痛苦期”來磨合；真正難以一步跨越的，還是芯片的硬件制造，尤其是光刻機(jī)。
今年9月，中國在DUV光刻機(jī)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重要的技術(shù)突破的消息引發(fā)國人振奮。
根據(jù)公開披露的參數(shù)，工信部公布的國產(chǎn)氟化氬光刻機(jī)（DUV），波長為193nm，其分辨率可以達(dá)到65nm或以下，套刻精度8nm。
“中國首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備”的含義是指國內(nèi)實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)、尚未取得明顯市場業(yè)績的裝備產(chǎn)品，包括整機(jī)設(shè)備、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等。
需要說明的是，套刻精度跟制程節(jié)點(diǎn)水平是兩個(gè)概念，套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對(duì)準(zhǔn)精度，并不是指能夠制造的芯片的工藝制程節(jié)點(diǎn)。對(duì)照ASML的系列光刻機(jī)參數(shù)，這款國產(chǎn)DUV光刻機(jī)仍未能完全勝任28nm的工藝制程，更達(dá)不到8nm、7nm的程度。ASML 2006年推出的干式DUV光刻機(jī)XT：1450的分辨率就已經(jīng)達(dá)到了57nm，套刻精度為7nm，相當(dāng)于“晚了18年”。
這一次看似有限的“突破”，仍有具有重要的“節(jié)點(diǎn)意義”——28nm以上制程的成熟芯片有望實(shí)現(xiàn)全流程國產(chǎn)化了。
這個(gè)突破，是美國的制裁措施倒逼的結(jié)果，正應(yīng)了毛主席的那句“封鎖吧，封鎖十年八年，中國的一切問題都解決了。”
“晚18年”并不可怕，只要正確的路線能夠占據(jù)主導(dǎo)，國產(chǎn)光刻機(jī)趕超國外最先進(jìn)的技術(shù)水平指日可待。
歷史已經(jīng)雄辯地證明：美國從原子彈到氫彈用了7年多，而新中國在毛澤東時(shí)代的引領(lǐng)下只用了兩年多；導(dǎo)彈和原子彈結(jié)合即戰(zhàn)略核導(dǎo)彈的試射成功，美國用了11年，新中國僅用了1年多的時(shí)間！這是社會(huì)主義公有制下群眾和專家無私大協(xié)作的結(jié)果，是社會(huì)主義制度優(yōu)越性的充分體現(xiàn)。
就在國產(chǎn)DUV光刻機(jī)重大突破的消息傳出之后，中國科學(xué)院原院長白春禮院士的一段訪談視頻又在網(wǎng)絡(luò)上熱傳。
白春禮院士的這段訪談大約是去年這個(gè)時(shí)候的，毛澤東時(shí)代集成電路事業(yè)取得的輝煌成就早已被歷史掩埋，公眾人物公開把它講出來，是少有的。
在毛主席的高度重視和關(guān)懷下，新中國很早就開始了電子工業(yè)的布局。
1953年1月，由華羅庚在中國科學(xué)院數(shù)學(xué)所建立了中國第一個(gè)計(jì)算機(jī)研究組；1953年，電信工業(yè)局終于成為第二機(jī)械工業(yè)部十局，所屬的738、718、774等一批北京酒仙橋地區(qū)的電子工廠，都參加了電子計(jì)算機(jī)的生產(chǎn)，新中國的計(jì)算機(jī)事業(yè)自此起步。
1956年7月5日，科學(xué)規(guī)劃委員會(huì)正式印出“四項(xiàng)緊急措施”文本。“緊急措施”包括計(jì)算機(jī)、半導(dǎo)體、無線電電子學(xué)和自動(dòng)化，這四個(gè)領(lǐng)域都是我國當(dāng)時(shí)發(fā)展還是很薄弱，但極具戰(zhàn)略價(jià)值的科技門類。
1957年1月1日，中國科學(xué)院等三家單位簽訂了“合作發(fā)展中國計(jì)算技術(shù)協(xié)議書”。三方議定，用超常規(guī)辦法集結(jié)人才，建立發(fā)展計(jì)算技術(shù)研究基地。組織原則是“先集中，后分散”，先抽調(diào)專家集結(jié)到科學(xué)院計(jì)算所，制造一臺(tái)快速通用電子計(jì)算機(jī)，然后專家返回原單位建立研究機(jī)構(gòu)，發(fā)展計(jì)算機(jī)。
1957年中國向蘇方提交的“中蘇科學(xué)院合作項(xiàng)目表”，第一項(xiàng)就是計(jì)算技術(shù)，“計(jì)算技術(shù)科學(xué)研究與工業(yè)基礎(chǔ)的建立”成為蘇聯(lián)幫助中國進(jìn)行的重大科研項(xiàng)目。
1958年，根據(jù)蘇聯(lián)設(shè)計(jì)圖紙做修改的103計(jì)算機(jī)研制成功，并生產(chǎn)了36臺(tái)；1959年，以蘇聯(lián)還在研制中的БЭСМ-II計(jì)算機(jī)為模板，成功研制104計(jì)算機(jī)。
103計(jì)算機(jī)和104計(jì)算機(jī)的誕生，使中國計(jì)算機(jī)完成了從無到有的跨越。因?yàn)槭欠轮铺K聯(lián)的先進(jìn)計(jì)算機(jī)，在技術(shù)起點(diǎn)上比較高——103計(jì)算機(jī)和104計(jì)算機(jī)在技術(shù)水平上僅次于美蘇。
1959年，中蘇關(guān)系迅速惡化，赫魯曉夫撤走了全部在華蘇聯(lián)專家，中國已經(jīng)得不到蘇聯(lián)技術(shù)支援。在美蘇的技術(shù)封鎖下，中國只能走自主設(shè)計(jì)、自主生產(chǎn)的發(fā)展路線。
1960年，中國自行設(shè)計(jì)的107計(jì)算機(jī)研制成功。
1965年，中國自主研制的第一塊集成電路在上海誕生，只比美國晚了5年進(jìn)入集成電路時(shí)代。1972年，自主研制的大規(guī)模集成電路在四川永川半導(dǎo)體研究所誕生，實(shí)現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。
美國從中小規(guī)模集成電路發(fā)展到中大規(guī)模集成電路用了8年時(shí)間（1960-1968），而我們?cè)诿捞K封鎖的情況下只用了7年，僅僅比美國晚了4年！
集成電路制造最關(guān)鍵的設(shè)備就是光刻機(jī)。光刻機(jī)又名掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，其制造和維護(hù)需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ)，這離不開毛澤東時(shí)代建立的完整的科研-工業(yè)體系的支持。
毛澤東時(shí)代，中國的光刻工藝研究起步雖然比美國晚5年，但比韓國、臺(tái)灣早10年。1975年，就在臺(tái)灣剛剛向美國購買3英寸晶圓廠時(shí)，中國大陸已經(jīng)完成了DRAM核心技術(shù)的研發(fā)工作。
光刻技術(shù)從最開始的是接觸式光刻，發(fā)展到后來并一直沿用至今的是投影式光刻。美國在20世紀(jì)50年代已經(jīng)有了接觸式光刻機(jī)，因?yàn)檠谀ず凸饪棠z多次碰到一起太容易污染了，接觸式機(jī)臺(tái)后來被接近式機(jī)臺(tái)所淘汰；1973年，Perkin Elmer公司推出了投影式光刻系統(tǒng)；1978年，GCA推出真正現(xiàn)代意義的自動(dòng)化步進(jìn)式光刻機(jī)。
而中國利用光刻技術(shù)制造集成電路的時(shí)間是1965年，那一年中國科學(xué)院研制出65型接觸式光刻機(jī)。1970年代，中國科學(xué)院開始研制計(jì)算機(jī)輔助光刻掩模工藝。1981年，中科院的半自動(dòng)接近式光刻機(jī)研制成功。
得益于國產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)的突破，1979年上海元件五廠和無線電十四廠甚至成功仿制英特爾公司1974年推出的8080CPU，比德國仿制成功還早一年。
1979年，機(jī)電部45所開始了分步投影式光刻機(jī)的研制，對(duì)標(biāo)的是美國1978年推出的4800DSW，1985年正式研制成功，此時(shí)與美國的差距只有不到7年……
回看這段歷史，真的令人唏噓。
從1985到2024，而今真正自主可控國產(chǎn)光刻機(jī)再度出發(fā)，這一“刻”我們等了39年！
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