近日，中科院對外宣布，中國科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。之后，有媒體聲稱“中國CPU芯片將實現(xiàn)彎道超車 中科院表示國產(chǎn)2nm芯片有望破冰”。鐵流認(rèn)為，中科院這項技術(shù)突破值得慶賀，在川普卡脖子以來，國人確實也需要本土技術(shù)創(chuàng)新來鼓舞士氣，但一些報道中有點捧得太高了。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度看，應(yīng)當(dāng)穩(wěn)扎穩(wěn)打，不宜過度吹捧。
個別媒體報道比較“熱血” 但不太專業(yè)
對于這些實驗室技術(shù)，媒體不宜見風(fēng)就是雨，技術(shù)從實驗室到工業(yè)界普及，有比較漫長的過程。而且實驗室中誕生的很多技術(shù)，在發(fā)展的過程中中途夭折的也不少，不乏像美國1nm碳納米管3D芯片的例子。中科院實驗室取得的技術(shù)突破成果固然喜人，但媒體不宜過度拔高，仿佛能靠這個技術(shù)用3至5年就徹底擺脫西方技術(shù)掣肘，國內(nèi)企業(yè)能夠靠這個技術(shù)大躍進(jìn)到2nm工藝。這種報道方式雖然“熱血”，但并不可取。
指望非傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料和工藝彎道超車不切實際
因此，將來即便出現(xiàn)了真正具有產(chǎn)業(yè)化潛力的新材料、新工藝，也不會對現(xiàn)有的芯片材料和工藝造成革命。就如同自行車、汽車、高鐵、客機(jī)之間不是取代關(guān)系，而是互補關(guān)系，將來即便出現(xiàn)了具有市場化潛力的新材料新工藝，也不會對現(xiàn)有成熟的材料和工藝造成革命。
另外，由于芯片設(shè)計和制造結(jié)合的非常緊密，貿(mào)然在材料和工藝上“突進(jìn)”，也會帶來大問題。目前半導(dǎo)體制造中換個工藝或者制程，芯片的電路部分很可能就要重新設(shè)計。如果新工藝優(yōu)化得不好或是芯片沒有根據(jù)新工藝做足夠的調(diào)整，新工藝流片的芯片性能和穩(wěn)定性不如老工藝是完全有可能的。對于目前的芯片設(shè)計而言，半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)必須要把足夠多的參數(shù)和數(shù)據(jù)提前提供并不斷更新才能保證設(shè)計的正常進(jìn)行，這一過程中需要做大量的實驗，花費巨額的資金，對于新工藝而言還有完全失敗的可能性。同時隨著半導(dǎo)體制造企業(yè)出于保護(hù)技術(shù)秘密，降低設(shè)計企業(yè)開發(fā)成本等因素，往往還會提供給設(shè)計企業(yè)封裝好的工藝庫和工具箱，甚至于連設(shè)計用的IDE都必須由半導(dǎo)體制造企業(yè)定制。新工藝如果沒有足夠多的優(yōu)點和可靠的財力支持很有可能倒在顛覆半導(dǎo)體制造方式的征程上。
正是因此，對于彎道超車不宜抱過大的期望。我們一方面不放棄對先進(jìn)技術(shù)方向的探索，在傳統(tǒng)方向上一步一個腳印的追趕。
不久前，中芯國際表示，位于上海市浦東張江哈雷路的工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)14nm芯片，并開始研發(fā)12nm工藝。華虹集團(tuán)總工程師趙宇航表示，集團(tuán)14nmFinFET工藝全線貫通，SRAM良率超過25%，2020年將快速推進(jìn)。
相信在大陸晶圓廠的努力下，大陸掌握12/14nm工藝，只是時間問題。雖然在追趕臺積電的道路上任重道遠(yuǎn)，但大陸企業(yè)將鍥而不舍，負(fù)重前行。
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