日前，日本媒體稱，合肥長鑫或于年內開始量產國產動態隨機存取存儲器(DRAM)，且合肥長鑫已經重新設計了其DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。
這與去年國內公布的消息是一致的——長鑫計劃在合肥投資80億美元建造了一家晶圓廠，在2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。2020年開始規劃二廠建設;2021年完成17納米技術研發。
如果合肥長鑫能夠量產8Gb DDR4和8Gb LPDDR4，那么，將有望打破國外三星、SK海力士等公司的壟斷。這對于現在這種特殊環境，算得上是一件大好事。
雖然此前有合肥長鑫與日本爾必達前社長技術合作的傳聞，但之后就沒下文了。從現在的情況看，合肥長鑫的技術來源上紫光國芯。紫光國芯的前身是英飛凌在中國西安設立的研發中心，之后獨立出來變成奇夢達，然后再被浪潮收購改名西安華芯，之后又被紫光收購并改名紫光國芯。另外，網絡上還有合肥長鑫從境外大廠大量挖人的傳言，甚至還有境外某公司一個數十人團隊集體跳槽到合肥長鑫的傳言。如果合肥長鑫能夠整合從境內外的吸收過來的人才和技術，并假以時日，形成自己研發能力是可以期待的。
如果說紫光的長江存儲上中國NAND突破的希望，那么，合肥長鑫就有可能成為中國DRAM突破的希望。
不過，在看到成績的同時，也應當看到差距。
首先上技術上的差距，畢竟英飛凌也只是與三星等國際大廠競爭中的失敗者，雖然借助奇夢達的肩膀，我們可以獲得一個更好的起點，但就現階段的技術水平而言，和三星上明顯有差距的。
其次上市超規模上，目前，全球DRAM 硅晶圓的月產量為130萬片，而合肥長鑫即便能按照規劃在年底量產，月產能也不過2萬片，相對較小的產能可能會使其在價格上對于下游客戶來說不太友好。
最后是當下大環境帶來的風險。目前，合肥長鑫的生產線對美國設備有一定依賴。根據日經新聞報道，合肥長鑫生產中依然會使用到Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor的設備和Cadence和Synopsys的EDA工具。對歐洲廠商的設備也有一定依賴性，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明2018年10月曾前往歐洲與ASML商談合作。一旦川普政府對合肥長鑫采取類似晉華的制裁，合肥長鑫會陷入非常尷尬的境地。
總之，現有的成績上喜人的，但道路上曲折的，追趕之路任重道遠。
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